Samsung brise le mur de 10 nm, la mémoire vive à l'ère de la densité

La Dram Memory, longtemps plagiée par les problématiques de prix et de rareté, s'est imposée comme un élément vital des appareils électroniques. Et voilà que Samsung vient de franchir un cap qui semblait insurmontable : la barrière des 10 nanomètres.

La densité pour aller plus loin

La densité pour aller plus loin

Jadis, les ingénieurs croyaient que les cellules de mémoire ne pouvaient pas diminuer de taille sans commencer à faillir ou à s'échauffer excessivement. Mais Samsung a démontré que ce n'était qu'une croyance.

L'entreprise a annoncé avoir créé les premiers pôles qui dépassent cette limite, accomplissant une densité qui semblait un rêve il y a juste deux ans. Et c'est magnifique, car cela signifie que l'on peut stocker 50% plus d'informations dans la même surface.

Le secret de ce miracle? Il n'est pas juste de faire des pièces plus petites, car cela ne fonctionnait plus. Le changement est dans la structure, dans la façon dont le pôle est construit à l'intérieur.

Les transistors et les condensateurs, les deux éléments clés qui stockent vos données, se trouvaient auparavant côte à côte. Samsung a inversé la tendance et maintenant les condensateurs s'empilent directement sur les transistors.

C'est ce petit changement qui a permis de passer de la structure actuelle, appelée 6F, à une bien plus efficace nommée 4F square cell. Si auparavant une cellule occupait un espace de 3x2 (6F), et maintenant occupe juste 2x2 (4F), ce petit réarrangement est responsable de la surface de la cellule qui est réduite de 50%.

Et le mieux? Samsung a déjà entre les mains les premiers morceaux de silicium qui fonctionnent parfaitement avec ce nouveau système.

La grande avantage de cette façon de les empiler est que, lorsque les pièces sont plus proches et mieux organisées, l'électricité doit moins voyager, ce qui signifie un moindre consommation d'énergie pour votre ordinateur portable ou votre smartphone.

Évidemment, maintenant, le processus se trouve dans la phase où ils savent que ça marche, mais où ils doivent encore affiner la production en série. Cependant, ils ont fabriqué les premières plaques et ont vérifié que le rendement est attendu.

Le prochain pas sera d'ajuster les machines des usines pour qu'elles ne produisent pas de pièces défectueuses. Si tout se passe bien, cela signifie que, un jour prochain, les plaques de silicium qui sortiront de leurs usines produiront entre 30% et 50% plus de mémoire que les actuelles, ce qui devrait rendre la fabrication moins coûteuse.

Il est cependant nécessaire de rester réaliste et de faire comprendre que cela ne sera pas disponible en magasin dans un an. C'est la naissance d'une technologie qui doit encore grandir et s'améliorer avant qu'elle ne soit utilisée par des millions de personnes.

Et pourtant, le fait est là : Samsung a franchi ce cap, et cela change tout.